 
|
10kA 5KA 3kA 1000V-5000V GDT ท่อจ่ายแก๊ส GDT ป้องกันไฟกระชาก
รายละเอียดสินค้า:
| สถานที่กำเนิด: | ประเทศจีน |
| ชื่อแบรนด์: | Tian Rui |
| ได้รับการรับรอง: | ROHS REACH |
| หมายเลขรุ่น: | 2RK-8 |
การชำระเงิน:
| จำนวนสั่งซื้อขั้นต่ำ: | 5000pcs |
|---|---|
| ราคา: | Negotiable |
| รายละเอียดการบรรจุ: | 1000pcs / กระเป๋า |
| เวลาการส่งมอบ: | 5-7 วัน |
| เงื่อนไขการชำระเงิน: | D / P, T / T, Paypal, Western Union |
| สามารถในการผลิต: | 1000000PCS / เดือน |
|
ข้อมูลรายละเอียด |
|||
| ชื่อ: | ท่อระบายแก๊ส | พิมพ์: | ตัวจับท่อระบายแก๊ส |
|---|---|---|---|
| วัสดุ: | เซรามิกส์ | ช่วงแรงดันไฟฟ้า: | 1000V ถึง 5000V |
| ความอดทน: | 20% | ความสามารถกระแสอิมพัลส์ 8/20μs: | 10KA/5KA/3KA |
| การตอบสนอง: | ยอดเยี่ยม | คุณภาพ: | ผ่านการทดสอบแล้ว 100% |
| แอปพลิเคชัน: | ไฟ LED, แหล่งจ่ายไฟ, โซลาร์เซลล์, ฯลฯ | บรรจุุภัณฑ์: | แพ็คเกจเดิม |
| แสงสูง: | 3kA GDT ท่อจ่ายแก๊ส,5000V GDT ท่อจ่ายแก๊ส,GDT ป้องกันไฟกระชาก |
||
รายละเอียดสินค้า
2RK-8 Series 10kA 5KA 3kA 1000V-5000V 1.5pF GDT วงจรป้องกันไฟกระชากเซรามิคแก๊ส Discharge Tube Arrester
คำอธิบาย
ซีรี่ส์ 2RK-8 Gas Discharge Tubes (GDT) ให้การปกป้องในระดับสูงต่อสภาวะชั่วครู่ที่เพิ่มขึ้นอย่างรวดเร็วซึ่งเกิดจากการรบกวนของฟ้าผ่านำเสนอในแพ็คเกจยึดพื้นผิวขนาดเล็ก
มีอัตราการกระชาก 10KA/5KA/3KA 8/20μs2RK-8 GDTs เป็นส่วนประกอบแรงดันสูง (1000-5000V) ที่ออกแบบมาสำหรับการป้องกันไฟกระชากและการใช้งานที่มีการแยกสูง
นอกจากนี้ยังเหมาะสำหรับการใช้งานที่ปกติจะมีระดับแรงดันไบอัสหรือสัญญาณหลายร้อยโวลต์2RK-8 GDT สามารถใช้ร่วมกับ MOV (วาริสเตอร์เมทัลออกไซด์) เพื่อให้ประสิทธิภาพการป้องกันที่เหนือกว่าสำหรับการใช้งานไฟฟ้ากระแสสลับ
รหัสหมายเลขชิ้นส่วน
ลักษณะไฟฟ้า
| หมายเลขชิ้นส่วน DIP/SMD |
2R230TK-8 2R230SK-8 |
2R250TK-8 2R250SK-8 |
2R300TK-8 2R300SK-8 |
2R350TK-8 2R350SK-8 |
2R380TK-8 3)
2R380SK-8 3)
|
|
ค่าเริ่มต้น
|
<275 วี 207~253 วี |
<300 V 225~275 V |
<360 วี 270~330 โวลต์ |
<420 V 315~385 V |
<460 วี |
|
อายุการใช้งานไฟฟ้า
แรงดันพังทลาย VB 2)
ค่าการติดไฟครั้งแรกหลังจาก 24 ชั่วโมงในความมืด
ติดตามค่าจุดระเบิด
การสลับการทำงานที่ +25°C
เวลาพังทลาย
ความถี่การสลับสูงสุด
|
< 285 วี
196~265 V
2×105
<50 ns
100 Hz
|
<310 V
215~290 วี
2×105
<50 ns
100 Hz
|
<370 วี
255~350 V
2×105
<50 ns
200 Hz
|
<435 วี
300~405 V
2×105
<50 ns
200 Hz
|
<460 วี
330~440 V
2×105
<50 ns
200 Hz
|
|
พารามิเตอร์วงจรทดสอบ
แรงดันไฟฟ้าวงจรเปิด V0
กำลังโหลดความต้านทาน R
ความจุในการคายประจุ C
ตัวเหนี่ยวนำ L
ปล่อยกระแสสูงสุด Ip
|
230 VAC 15 KΩ
2.2 µF
10 µH
~300 A
|
350 V
10 KΩ
680 nF
0.5 µH
~500 A
|
400 V
10 KΩ
680 nF
0.5 µH
~500 A
|
450 V
10 KΩ
680 nF
0.5 µH
~500 A
|
500 V
10 KΩ
680 nF
0.5 µH
~500 A
|
| หมายเลขชิ้นส่วน DIP/SMD |
2R400TK-8 2R400SK-8 |
2R450TK-8 2R450SK-8 |
2R470TK-8 2R470SK-8 |
2500TK-8 2500SK-8 |
2R550TK-8 4)
2R550SK-8 4)
|
|
ค่าเริ่มต้น
|
<470 วี 360~440 V |
<5400 วี 405~495 V |
<560 วี 423~517 วี |
<600 V 450~550 V |
<680 V |
|
อายุการใช้งานไฟฟ้า
แรงดันพังทลาย VB 2)
ค่าการติดไฟครั้งแรกหลังจาก 24 ชั่วโมงในความมืด
ติดตามค่าจุดระเบิด
การสลับการทำงานที่ +25°C
เวลาพังทลาย
ความถี่การสลับสูงสุด
|
<500 V
340~460 โวลต์
2×105
<50 ns
200 Hz
|
<560 วี
385~515 วี
2×105
<50 ns
200 Hz
|
<585 วี
400~540 V
2×105
<50 ns
200 Hz
|
<625 V
425~575 V
2×105
<50 ns
200 Hz
|
<710 วี
485~655 V
2×105
<50 ns
200 Hz
|
|
พารามิเตอร์วงจรทดสอบ
แรงดันไฟฟ้าวงจรเปิด V0
กำลังโหลดความต้านทาน R
ความจุในการคายประจุ C
ตัวเหนี่ยวนำ L
ปล่อยกระแสสูงสุด Ip
|
520 V 10 KΩ
680 nF
10 µH
~500 A
|
580 V
10 KΩ
680 nF
0.5 µH
~500 A
|
600 V
10 KΩ
680 nF
0.5 µH
~500 A
|
630 V
13 KΩ
470 nF
0.1 µH
~600 A
|
720 V
13 KΩ
470 nF
0.1 µH
~600 A
|
| หมายเลขชิ้นส่วน DIP/SMD |
2R600TK-8 2R600SK-8 |
2R630TK-84) 2R630SK-84) |
2R750TK-85) 2R750SK-85) |
2R800TK-8 2R800SK-8 |
| ค่าเริ่มต้น แรงดันพังทลายแบบสถิต VS @ 100V/S 1) ค่าการติดไฟครั้งแรกหลังจาก 24 ชั่วโมงในความมืด ติดตามค่าจุดระเบิด |
<720 วี
540~660 V
|
<750 V
585~685 V
|
<860 วี
690~790 V
|
<950 V
720~880 V
|
|
อายุการใช้งานไฟฟ้า
แรงดันพังทลาย VB 2)
ค่าการติดไฟครั้งแรกหลังจาก 24 ชั่วโมงในความมืด
ติดตามค่าจุดระเบิด
การสลับการทำงานที่ +25°C
เวลาพังทลาย
ความถี่การสลับสูงสุด
|
<750 V
510~690 V
2×105
<50 ns
200 Hz
|
<780 วี
540~720 V
2×105
<50 ns
200 Hz
|
<920 วี
630~850 V
105
<50 ns
200 Hz
|
<1000 วี
680~920 V
105
<50 ns
200 Hz
|
|
พารามิเตอร์วงจรทดสอบ
แรงดันไฟฟ้าวงจรเปิด V0
กำลังโหลดความต้านทาน R ความจุในการคายประจุ C
ตัวเหนี่ยวนำ L
ปล่อยกระแสสูงสุด Ip
|
750 V
13 KΩ
470 nF
0.1 µH
~600 A
|
780 V
13 KΩ
470 nF
0.1 µH
~600 A
|
920 V
68 KΩ
100 nF
0.1 µH
~400 A
|
1,000 V
68 KΩ
100 nF
0.1 µH
~400 A
|
|
ความต้านทานฉนวนที่ 100 V
|
>108 Ω
|
|
ความจุ @1MHz
|
<1.5 pF
|
|
เครื่องหมายลบสีแดง
|
รุยลอน XXXK Y
XXX -แรงดันไฟที่กำหนด
K - การสลับจุดประกายช่องว่าง
Y -ปีที่ผลิต
|
|
น้ำหนัก
|
กรมทรัพย์สินทางปัญญา ~1.5g
SMD ~1.25g
|
|
อุณหภูมิการทำงานและการเก็บรักษา
|
-40~+125°C
|
|
การรักษาพื้นผิว
|
กรมทรัพย์สินทางปัญญา - ชุบนิกเกิล
SMD -เคลือบดีบุกเคลือบด้าน
|